Anordningen Prinsippet for virkemåten, og forskjellen N-P-N- og P-N-P-transistorer

Det er to grunnleggende typer transistorer: bipolar og felt. Bipolare transistorer, i sin tur, er delt inn i typen med en P-N-P og N-P-N veikryss. I denne artikkelen vil jeg fortelle deg om strukturen av bipolare transistorer, og vi skal snakke om prinsippet om drift og hva deres største forskjellen. Så det du går.

Litt historie

Ifølge den offisielle historien registrerer datoen 16.12.1947 år kan betraktes som den offisielle bursdagen til en av de viktigste elementene i alle moderne elektronikk. Det ble presentert for publikum på denne dagen, den første transistor, som ble satt sammen av tre forskere, nemlig: D. Bardeen, W. Shockley og W. Brattain.

Fremveksten av en bipolar transistor tillates å forlate bruken av vakuumrør. Alle moderne elektronikk ville være umulig uten dette produktet. Det er en så viktig funn ble gjort i midten av det 20. århundre. Nå, fra historien om vår flytte til en bipolar transistor.

Hvordan fungerer bipolar transistor

Således kan den bipolare transistor fremstilles skjematisk som følger:

Se nøye på bildet, trenger du ikke det minne deg om noe? Ja, du har rett, hvis du ser nøye og mentalt dele N sone - overgang, så har vi to sammenkoblede dioder (husk dette øyeblikket, i fremtiden vil vi trenger).

For å bestemme en konduktivitets før kontakt diode, er det nok å lese retning av pn-overgangen. Overnevnte vi ledningsevnetype P-N-P. Dette betyr at vi står overfor en transistor fremre lednings (siden det antas at strømmen flyter fra pluss til minus).

Men i transistoren N-P-N-typen ledningsevne gjensidig

Har du lagt merke til at i begge utførelser, er det tre konklusjoner rett:

Emitter (kilde generator), base (base) og samleren (kollektor, lagring).

Skjematisk symboler transistorer

Fra alle de ovennevnte skrevet, har du sannsynligvis allerede visste at det er transistorer, negative og positive sekvens, noe som betyr at ordningene slike elementer skal ha forskjeller. La oss se på dem.

Således vil betegnelsen for transistoren fremre lednings på de ordningene være følgende:

Men det motsatte ledningstransistor er betegnet som følger:

I gamle Sovjet bøkene transistorer er merket med bokstaven "T", og nå betegnelsen ble endret til "VT".

Som en ordning for å bestemme N-P-N-eller P-N-P-transistor før du

Faktisk bestemmes av hvilken type bipolar transistor krets er ganske enkelt, bare husk følgende regel:

Som det er kjent i N - halvleder, blir en stor mengde av frie elektroner, og en P-type halvleder plassert et "hull" - positivt ladede partikler. En generelt akseptert teori av strømmen flyter fra den "pluss" til "negative".

Hvis du ser på kartet, vil du se at emitter er vist med en pil som er rettet enten til basen eller fra det. Så hvis transistoren N-P-N- type, dvs. dannet av P- basishalvleder, flyter strømmen fra bunnen (pil emitter-base). Hvis bunnen er laget av N - halvledere, flyter det strøm (pil) inn i basen.

Hvordan den P-N-P-transistor

Med betegnelsen og enheten som alt er klart, og her er hvordan det fungerer, la oss forstå:

La oss tenke oss en bipolar transistor som et vannrør ventil med en fjærmekanisme.

Som det fremgår av figuren fra toppen for å jevne ut strømmen av vann gjennom røret hindrer ventilfjæren mekanisme, hvis vi setter en liten innsats (åpen ventil sammenpressing av fjæren), idet vannet fritt Det vil strømme gjennom røret. Hvis vi gir slipp på våren, vil det rette og returnere låsen på plass, og dermed blokkerer røret og vannstrømmen er stoppet.

Nå forestille seg at dette rør - en transistor P-N-P-typen, slik at det som blir funnet, kan oppsummeres som følger:

Det viser seg at strømmen flyter fra emitter til kollektor (tilbakekalling at strømretningen faller sammen med retning av pilen på emitter) å gjøre slik at strømmen ut av basen, eller for å si det enkelt: søke om minus basen.

La oss visuelt kontrollere driften av transistoren. For dette tar vi KT814B og samle en enkel krets med to strømforsyninger.

For å kunne koble transistor trenger å vite hva konklusjonen er emitter, base og samler. For å gjøre dette, finner vi teknisk dokumentasjon og avgjøre:

En lyspære, vil jeg bruke den mest vanlig bil, som er designet for 12 volt. Den sammensatte krets vil se slik ut:

Så, for å eksponere våre ordningen til arbeid på strømforsyningen på 12 volt №2. Og på den første strømforsyningen starter veldig greit (fra scratch) for å heve spenningen nøyaktig til øyeblikket før våre lampen lyser.

Ordningen tjent med en spenning på 0,66 volt på den første kilden.

Det vil si, det var "oppdagelsen" av transistoren og gjennom emitter-solfangeren krets begynte å passere strøm.

Med andre ord, spenningen, som åpnet vår transistor - det er ikke noe annet enn et spenningsfall over P-N basis-emitter-spenning, som befinner seg nøyaktig i området fra 0,5 til 0,7 V for silisium transistorer.

Og hvordan går det med transistorer, som bruker N-pn-overgangen.

Driftsprinsippet til N-P-N-transistor

Hvis du ser nøye på den tekniske dokumentasjonen til transistoren KT814B, kan du finne en rekord som komplementær til transistorparet er KT815B, og det skiller seg bare ved at den bruker N-P-N- overgang.

Og koblingsskjema ser slik ut:

Se nøye på denne kretsen og bytte krets KT814B, trenger du ikke merke noe? Det er riktig, er den eneste forskjellen mellom de to transistorer ligger i det faktum at den transistor med P-N-P overførings kalt "minus" (ettersom basis påføres det negative potensial), men transistoren N-P-N åpnet "Plus".

konklusjon

I denne blir vi introdusert til materialet i BJT, deres konstruksjon og virkemåte, og slik at de er angitt i diagrammene. Hvis artikkelen er å gi deg interessant og nyttig, vil du sette pris på det som. Takk for oppmerksomheten!